Questionari per il capitolo X

Memorie


1. Quesiti a risposta singola (rispondere a ciascuna domanda in 10 righi al massimo). 

a) Le grandezze più importanti di una memoria a semiconduttore sono il tempo di accesso e la capacità. Fornisci la definizione di queste due grandezze.

b) Le memorie si caratterizzano per il tipo di accesso al dato: casuale e sequenziale. Che cosa si intende per memoria ad accesso casuale e memoria ad accesso sequenziale ?

c) Dopo aver chiarito la differenza tra memoria ROM e RAM, elenca i vantaggi e gli svantaggi di una memoria a sola lettura.

d) Elenca le memorie a semiconduttore a sola lettura di tua conoscenza cercando di chiarire la differenza sostanziale tra un tipo e l'altro.

e) Descrivi la funzione svolta dalle linee di controllo CHIP SELECT e WRITE ENABLE di una memoria RAM chiarendo il motivo per cui la seconda linea di controllo non ha senso in una memoria ROM.

f) Descrivi la struttura circuitale di una ROM a diodi. Se la ROM a diodi realizzata possiede 8 locazioni di memoria ciascuna costituita da 4 bit, indica il numero dei bit di indirizzo necessari per individuare una locazione di memoria. Perché sono necessari meno di 33 diodi per la realizzazione della matrice ?

g) Descrivi il principio di funzionamento della programmazione del FAMOS di una EPROM. 

h) Descrivi le linee fondamentali di una EPROM organizzata in 4096 parole ciascuna di 8 bit (4Kbyte).

i) Dopo aver espresso la fondamentale differenza tra una PROM e una PLA, chiarisci il motivo per cui trovano impiego le PLA.

j) La RAM viene utilizzata per realizzare la memoria centrale dei sistemi di elaborazione dati. Indica tutte le differenze che conosci tra una SRAM (RAM statica) e una DRAM (RAM dinamica).

k) Spesso un chip di memoria non basta a soddisfare la capacità richiesta per cui si ricorre all'utilizzo di un congruo numero di integrati. Indica cosa si intende per espansione orizzontale ed espansione verticale di memoria. 

l) Indica le prestazioni di massima dei moduli di memoria SIMM e DIMM impiegati per la realizzazione della memoria centrale di un computer.

m) Per velocizzare le esecuzioni delle istruzioni di un microprocessore si utilizza la memoria "cache". Che cosa è? Cosa si intende per memoria L1, L2 e L3 ?

n) Descrivi la struttura interna di una memoria a bolle magnetiche evidenziando le modalità di lettura e di scrittura dei dati.

o) Descrivi il principio di funzionamento di una memoria ad accesso sequenziale CCD ed indica almeno una applicazione in campo commerciale. 



2. Quesiti a risposta multipla (indicare la risposta esatta fra le quattro proposte).

a) Qual'è la sigla di una memoria a semiconduttori ad accesso casuale in cui è possibile leggere e scrivere i dati con stesso tempo d'accesso :
1.  RAM
2.  ROM
3.  FAMOS
4.  SAM

b) Una memoria organizzata in 4 Kbyte quanti bit possiede ? 
1.  32000
2.  4000
3.  4196
4.  32768

c) Il tempo d'accesso di una moderna SRAM vale:
1.  250ns
2.  15ns
3.  10ms
4.  10ps

d) Le linee di indirizzo di una memoria RAM, prima di accedere alla cella di memoria, sono inviate in un:
1.  multiplexer
2.  demultiplexer
3.  decoder
4.  encoder

e) Una RAM integrata organizzata in 4 M parole da 8 bit ciascuno con linee RAS e CAS quanti pin di indirizzamento possiede ?
1.  22
2.  11
3.  24
4.  12

f) In una ROM a diodi, questi ultimi realizzano il:
1.  codificatore
2.  decodificatore
3.  selettore
4.  deselettore


g) La cancellazione di una EPROM avviene esponendo la finestrella di quarzo trasparente del circuito integrato a raggi:
1.  infrarossi per 20 minuti 
2.  ultravioletti di lunghezza d'onda pari a 2537 Angstrom
3.  infrarossi di lunghezza d'onda pari a 8156 Angstrom
4.  ultravioletti per 2 minuti

h) I PLA (Programmable Logic Array) sono dispositivi affini a ? 
1.  RAM
2.  ROM
3.  PROM
4.  SRAM

i) Le macrocelle sono circuiti: 
1.  contenuti nelleRAM
2.  costituiti da porte, flip-flop ed abilitazioni
3.  contenuti nelle PROM
4.  costituiti solo da porte logiche

j) La RAM 2114 ha una organizzazione interna di 1K x 4. Eseguendo un'espansione orizzontale per 4 e verticale per 16 quanti integrati 2114 sono necessari ? Qual'è la capacità di memoria che si ottiene ? 
1.  64, 4K x 64
2.  20, 20K x 4
3.  20, 4K x 16
4.  64, 16K x 16

k) Le moderne schede di memoria centrale DIMM: 
1.  sono a 138 contatti
2.  hanno massima capacità pari a16Mbyte 
3.  si possono montare solo su sistemi a partire dal Pentium II
4.  sono meno evolute delle SIMM


3. Quesiti a risposta vero/falso

a) Verifica le seguenti definizioni:
V F La capacità è il numero di bit che una memoria può contenere
V F Una memoria si dice volatile se perde l'informazione se si toglie l'alimentazione
V F Il tempo di accesso è l'intervallo d tempo tra la lettura e la scrittura di un dato

b) Una memoria RAM:
V F È ad accesso casuale
V F È di sola lettura
V F Ha un readout distruttivo

c) Una memoria di massa:
V F È disponibile per tutti
V F È destinata a contenere un'ingente quantità di dati
V F Non è volatile 

d) Fanno parte delle memorie SAM (Memorie sequenziali):
V F I CCD
V F Le RAM
V F Le MBM

e) Una ROM organizzata a byte e con 12 bit di indirizzo:
V F Possiede 4096 locazioni di memoria
V F Contiene 32K bit
V F Possiede sei linee di indirizzamento

f) Le memorie EEPROM:
V F Sono memorie a sola lettura programmabili con cancellazione elettrica
V F Sono memorie a sola lettura non programmabili
V F Hanno processo di scrittura molto lento rispetto alla lettura

g) La memoria centrale di un personal computer può contenere:
V F Schede SIMM
V F Schede DIMM
V F Schede con flip-flop


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