Transistor ad effetto di campo (in figura: N MOSFET enhancement)
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Il questionario è costituito da domande sui transistor ad effetto di campo a giunzione JFET e di tipo MOS 
1Il canale di un JFET:
Collega il terminale di gate al terminale di source.
Collega il terminale di drain al terminale di source.
E' sempre di tipo P.
Ha lo stesso tipo di drogaggio del substrato.
2In un JFET a canale N il "pinch-off" si raggiunge:
Aumentando negativamente la tensione VGS tra il terminale di gate ed il terminale di source.
Aumentando negativamente la tensione VDS tra il terminale di drain ed il terminale di source.
Mai.
Aumentando positivamente la tensione VGS.
3Una curva caratteristica di uscita di un JFET a canale N si ottiene:
Portando VGS da VP a zero tenendo costante VDS.
Facendo variare da zero a 20V sia la tensione VDS che la VGS.
Facendo variare la VDS da zero a 20V tenendo costante VGS ad un valore negativo.
Variando VGD da zero a 10V con VGS=0.
4Il punto denominato "zero drift" nel JFET:
E' quello cui corrisponde VGS=0.
Dista da VGS della quantità 0.63V.
Rende il dispositivo insensibile alle variazioni di temperatura.
Modifica la posizione del punto di lavoro per effetto della dispersione.
5Nel circuito di polarizzazione automatica di un JFET a canale N:
La tensione VGS=0.
La tensione VGS è proporzionale alla corrente di drain.
Il punto di lavoro non è stabilizzato.
Il terminale di source è collegato a massa.
6La retta di carico sulla caratteristica mutua di un JFET a canale N:
E' verticale nel circuito di polarizazione automatica.
Passa per l'origine degli assi nel circuito di polarizzazione automatica a partitore resistivo.
E' una semiretta che parte dall'origine degli assi e si sviluppa nel primo quadrante.
E' più orizzontale nel circuito di polarizzazione automatica a partitore resistivo piuttosto che nel circuito di polarizzazione automatica semplice a parità di punto di riposo.
7In un MOSFET enhancement a canale N:
Il substrato è di tipo N.
Il canale conduttivo tra drain e source esiste già in fase di fabbricazione.
Le cariche elettriche di conduzione nel canale sono gli elettroni.
Nei tipici funzionamenti deve essere VGS < 0.
8Un MOSFET a canale P, nel funzionamento ON-OFF:
Si comporta da porta logica NOT.
Presenta corrente di drain entrante nel terminale.
E' pilotato dalla tensione VGS positiva o nulla.
Presenta elevata resistenza di canale quando è in conduzione.
9La curva caratteristica di un JFET a canale N per VGS=-1V:
Fornisce la corrente di gate in funzione della tensione VDS.
E' quella mutua.
Presenta il primo tratto quasi verticale ed il secondo tratto quasi orizzontale.
Ha andamento parabolico.
10In un circuito a JFET a canale N polarizzato con VGS=-3V, VP=-6V e IDSS=16mA, la corrente di drain vale:
ID=8mA
ID=4mA
ID=2mA
ID=16mA